Número de Producto del Fabricante:
IPU135N08N3 G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPU135N08N3 G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
12804428
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPU135N08N3 G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 33µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1730 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPU135N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
IPU135N08N3 G-DG
IPU135N08N3GBKMA1
SP000521642
IPU135N08N3G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF7460TRPBF
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
IRFB4019PBF
MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
IPC100N04S5L1R1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
